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        半導(dǎo)體失效分析報(bào)告有效期限 檢測(cè)周期和項(xiàng)目有多少發(fā)布時(shí)間: 2024-12-18 點(diǎn)擊次數(shù): 723次半導(dǎo)體失效分析是確保半導(dǎo)體器件可靠性和性能的關(guān)鍵技術(shù),它通過對(duì)失效半導(dǎo)體芯片的深入分析,確定其失效的根本原因。失效可能由多種因素引起,包括材料缺陷、設(shè)計(jì)不足、工藝問題、環(huán)境因素或操作失誤。
 失效分類
 斷裂失效:
 應(yīng)力腐蝕:材料在應(yīng)力和腐蝕環(huán)境共同作用下發(fā)生的斷裂。
 高溫應(yīng)力斷裂:材料在高溫和應(yīng)力長(zhǎng)期作用下發(fā)生的斷裂。
 疲勞斷裂:材料在反復(fù)應(yīng)力作用下發(fā)生的斷裂。
 非斷裂失效:
 磨損失效:由于摩擦導(dǎo)致的材料表面磨損。
 腐蝕失效:材料在化學(xué)或電化學(xué)作用下發(fā)生的損壞。
 變形失效:材料在外力作用下發(fā)生的不可逆形變。
 復(fù)合失效機(jī)理:
 多種失效機(jī)理綜合作用,如應(yīng)力腐蝕和疲勞斷裂的共同作用導(dǎo)致的失效。
 失效分析的重要性
 失效分析不僅有助于工藝的不斷改進(jìn)和優(yōu)化,修復(fù)芯片設(shè)計(jì)中的缺陷,還為故障診斷提供了關(guān)鍵的證據(jù)支持。此外,它為生產(chǎn)測(cè)試環(huán)節(jié)提供了重要的補(bǔ)充,確保了產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。
 中科檢測(cè)的半導(dǎo)體失效分析服務(wù)
 中科檢測(cè)憑借其專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和CMA資質(zhì)認(rèn)證,為客戶提供全面的半導(dǎo)體失效分析服務(wù),以下是一些具體的失效現(xiàn)象和分析方法:
 失效現(xiàn)象
 開路:
 EOS(電氣過應(yīng)力):由于電壓或電流超過器件承受范圍導(dǎo)致的損壞。
 ESD(靜電放電):靜電放電造成的器件損壞。
 電遷移:電流導(dǎo)致的金屬遷移,引起線路斷裂。
 應(yīng)力遷移:金屬互連線的應(yīng)力引起的斷裂。
 腐蝕:化學(xué)腐蝕導(dǎo)致的金屬線路斷裂。
 鍵合點(diǎn)脫落:鍵合點(diǎn)因機(jī)械或熱應(yīng)力而脫落。
 機(jī)械應(yīng)力:外力導(dǎo)致的器件結(jié)構(gòu)損壞。
 熱變應(yīng)力:溫度變化引起的應(yīng)力導(dǎo)致器件損壞。
 短路:
 PN結(jié)缺陷:PN結(jié)區(qū)域的缺陷導(dǎo)致的短路。
 PN結(jié)穿釘:PN結(jié)區(qū)域的穿透性缺陷。
 介質(zhì)擊穿:絕緣材料因電應(yīng)力而失效。
 金屬遷移:金屬原子遷移導(dǎo)致的短路。
 參漂:
 氧化層電荷:氧化層中的電荷變化影響器件性能。
 表面離子:表面吸附的離子影響器件的電性能。
 芯片裂紋:芯片內(nèi)部的裂紋導(dǎo)致性能下降。
 熱載流子:熱載流子效應(yīng)導(dǎo)致的器件參數(shù)變化。
 輻射損傷:輻射導(dǎo)致的器件性能退化。
 功能失效:
 EOS、ESD:如實(shí)例一中的浪涌損壞,導(dǎo)致整流橋功能失效。
 失效分析方法
 目檢:
 觀察芯片表面的各種缺陷,如沾污、裂紋、腐蝕等。
 電測(cè)試:
 測(cè)試器件的電性能參數(shù),確認(rèn)其功能是否正常。
 X射線照相:
 檢查內(nèi)部結(jié)構(gòu),如鍵合金絲的完整性、焊點(diǎn)焊接情況等。
 超聲掃描:
 利用超聲波檢測(cè)封裝結(jié)構(gòu)中的內(nèi)部缺陷。
 掃描電鏡及能譜:
 分析失效樣品的微觀結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分。
 密封檢測(cè):
 判斷器件的氣密性和漏率。
 PIND:
 檢測(cè)器件內(nèi)是否存在多余的可動(dòng)顆粒。
 內(nèi)部氣氛檢測(cè):
 測(cè)量器件內(nèi)部的水汽、氧氣、二氧化碳等氣氛。
 紅外成像:
 通過觀察芯片表面的熱點(diǎn)位置,診斷潛在的擊穿或短路問題。
 中科檢測(cè)的半導(dǎo)體失效分析服務(wù),不僅能夠幫助客戶找出問題的根源,還能夠提供改進(jìn)建議,從而提高產(chǎn)品的可靠性和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
 
          產(chǎn)品中心
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